SI7684DP-T1-GE3 datasheet
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>> SI7684DP-T1-GE3 MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI7684DP-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
SI7684DP-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 12 V
漏极连续电流
17.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
9 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI7684DP-T1-GE3
SI7686
SI7686DP-T1
SI7686DP-T1-E3
SI7686DP-T1-GE3
SI7703EDN
供应商
公司名
电话
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市翔微电子科技有限公司
0755-23901885
陈铁军
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
李先生
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测试
SI7684DP-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,720
1.808
3109.76
3,000
1.518
4554
6,000
1.462
8772
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